一． 芯片廢水來(lái)源：

今天漓源環(huán)保給大家介紹一下芯片生產(chǎn)廢水處理工藝技術(shù)，集成電路芯片制造生產(chǎn)工藝復(fù)雜，包括硅片清洗、化學(xué)氣相沉積、刻蝕等工序反復(fù)交叉，生產(chǎn)中使用了大量的化學(xué)試劑如HF、H2SO4、NH3?H2O等。

二． 芯片廢水分類(lèi)

將生產(chǎn)廢水處理分為：含氨廢水處理系統(tǒng)、含氟廢水處理系統(tǒng)、CMP研磨廢水處理系統(tǒng)及酸堿廢水處理系統(tǒng)。

2.1 含氨廢水處理系統(tǒng)

含氨廢水有兩部分，一部分是濃氨氮廢水，主要含氨氮和雙氧水，氨氮濃度達(dá)400～1200mg/L;另一部分是稀氨廢水，主要含氟化氨，氨氮濃度低于100mg/L。

2.2 含氟廢水處理系統(tǒng)

工藝中采用CaCl2溶液代替?zhèn)鹘y(tǒng)去氟采用的消石灰，可減少氟化鈣污泥量、原料用量和堿液，同時(shí)，可避免粉態(tài)消石灰的逸散，防止管道堵塞，易于控制投加量，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定高效運(yùn)行。

2.3 CMP研磨廢水處理系統(tǒng)

研磨廢水處理與含氟廢水處理很相近，若從節(jié)省投資的角度考慮，可以采用同一系統(tǒng)同時(shí)處理含氟和CMP研磨兩股廢水，否則，將增加額外的投資。

三． 處理工藝

3.1 二級(jí)反應(yīng)+一級(jí)助凝十一級(jí)沉淀，系統(tǒng)出水氟離子濃度基本達(dá)到<Zomg/L要求;若增加一級(jí)沉淀，即用二級(jí)反應(yīng)+沉淀+一級(jí)反應(yīng)+沉淀的兩階段沉淀反應(yīng)，系統(tǒng)出水氟離子濃度可控制在10mg/L以下。

3.2 濃氨吹脫吸收工藝—含氟廢水兩階段沉淀工藝(含氟廢水與CMP研磨廢水混合處理)—三級(jí)酸堿中和處理工藝。

3.3 兩級(jí)反應(yīng)池、酸堿原液直接投加，運(yùn)行出水不穩(wěn)定且藥劑消耗量很大。

3.4反沖洗過(guò)濾器，是一種利用濾網(wǎng)直接攔截水中的雜質(zhì)，去除水體懸浮物、顆粒物，降低濁度，凈化水質(zhì)，減少系統(tǒng)污垢、菌藻、銹蝕等產(chǎn)生，以?xún)艋|(zhì)及保護(hù)系統(tǒng)其他設(shè)備正常工作的設(shè)備。經(jīng)反沖洗過(guò)濾器處理后的水質(zhì)不但達(dá)到了規(guī)定的廢水排放標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)反沖洗過(guò)濾器處理后的水源可重復(fù)、循環(huán)利用有效的節(jié)省了水資源。

四、芯片生產(chǎn)廢水嚴(yán)重的污染的水資源及環(huán)境，有效治理芯片生產(chǎn)廢水已刻不容緩。

以上為漓源環(huán)保給大家介紹的芯片生產(chǎn)廢水處理工藝技術(shù)，更多的污水處理知識(shí)請(qǐng)咨詢(xún)漓源環(huán)保。

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